San’an объявил о вводе в эксплуатацию 8-дюймовой производственной линии SIC Chip

27 августа SAN объявил на своей платформе по связям с инвесторами, что 8-дюймовая линия CHIP Carbide (SIC) на своей полупроводниковой базе Hunan Sanan официально вышла в интернет.

Чип-линия Hunan San SIC SIC потребовалось менее года, чтобы перейти от строительства к эксплуатации, прогрессирующая быстрее, чем ожидалось. По состоянию на август 2025 года Хунан Санан установил относительно полную промышленность отрасли SIC: 6-дюймовая мощность SIC 16 000 вафей/месяц, 8-дюймовые субстратные и эпитаксиальные возможности 1000 вафей/месяц и 2000 вафей в месяц, соответственно. Кроме того, компания также имеет мощность Gan-On-Silicon 2000 пластин/месяц.

Общая инвестиция в проект Хунана Санана SIC составляет 16 миллиардов юаней, с целью создания вертикально интегрированной массовой производственной платформы, совместимой с 6-дюймовым и 8-дюймовым SIC. Получив полное производство, он будет способен производить 360 000 6-дюймовых SIC-пластин и 480 000 8-дюймовых SIC-пластин в год.

27 февраля этого года San An и Stmicroelectronics объявили, что их совместно созданный SIC Wafer Fab в Чунцине также завершил ввод в эксплуатацию. Ожидается, что проект достигнет массового производства в 4 квартале в этом году, став первой крупномасштабной 8-дюймовой линейкой производства Power Chip SIC в Китае. После того, как Fab будет полностью нарастать, FAB сможет производить около 10 000 автомобильных пластин в неделю.