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Lumileds, 벽면 플러그 효율이 7.5%인 InGaN 기반 진적색 LED 시연

오늘날의 반도체 2024-10-08 09:19:59

주도의 제품 및 조명 제조업체인 Lumileds LLC(미국 캘리포니아주 산호세)는 풍부한 진한 적색광(635nm 피크에 해당하는 615nm 주파장)이 InGaN(인듐 갈륨 질화물) LED를 사용하여 생성될 수 있음을 최초로 입증했다고 주장합니다. 전류 밀도 10A/cm2에서 효율은 7.5%입니다. 회사는 자사의 혁신이 스펙트럼 피크 이동 및 전류 밀도에 따른 확장을 포함하여 높은 인듐 농도와 관련된 문제를 해결한다고 말합니다.

InGaN 재료 시스템은 역시 InGaN을 기반으로 하는 녹색 및 청색 LED와 제조를 조화시키기 때문에 적색 광원 생성을 위한 알루미늄 인듐 갈륨 인화물(AlInGaP)의 매력적인 대안입니다. InGaN의 대규모 산업 용량은 규모의 경제를 제공하며 실리콘 반도체 제조와의 통합에 선호됩니다. InGaN red는 마이크론 규모의 크기와 낮은 전류 밀도에서 효율을 유지하는 특성 때문에 마이크로 LED 애플리케이션에 특히 유망합니다.

질화물 에피택시 개발 이사인 Rob Armitage는 “10μm 미만 적색 마이크로 LED의 현재 효율은 비용 효과적이고 효율적인 마이크로 LED 디스플레이에 장애가 됩니다.”라고 말합니다. "빨간색 InGaN에 대한 우리의 작업은 채택을 위한 비용 및 효율성 임계값을 충족하기 위한 로드맵을 검증합니다."

Lumileds는 고효율 적색 InGaN을 시연하는 것 외에도 단일 InGaN 에피택셜 스택에서 적색, 녹색 및 청색 발광을 확립했습니다. 이후 이를 우수한 색 품질과 전기적 특성을 갖춘 마이크로 LED로 해석했다. 세 가지 기본 색상을 단일 마이크로 LED에 통합하면 저비용 고수익 마이크로 LED 디스플레이 어셈블리를 달성하는 데 엄청난 영향을 미치며 궁극적으로 증강 현실(AR) 애플리케이션을 위한 소형 풀 컬러 디스플레이가 가능해질 것이라고 Lumileds는 말합니다.