Lumileds 展示基于 InGaN 的深红色 LED，电光转换效率为 7.5%

引领 位于美国加利福尼亚州圣何塞的产品和照明制造商 Lumileds LLC 声称率先证明可以使用氮化铟镓 (InGaN) LED 产生丰富的深红光（615nm 主波长，对应于 635nm 峰值），从而实现壁插式照明在电流密度为10A/cm2时效率为7.5%。该公司表示，其突破性成果解决了与高铟浓度相关的挑战，包括光谱峰移和电流密度展宽。

InGaN 材料系统是磷化铝铟镓 (AlInGaP) 的有吸引力的替代品，可用于制造红光源，因为它可以与同样基于 InGaN 的绿光和蓝光 LED 的制造相协调。 InGaN的巨大工业产能具有规模经济性，是与硅半导体制造集成的首选。 InGaN红光因其在微米级尺寸下保持效率和低电流密度的特性而特别适合micro-LED应用。

氮化物外延开发总监 Rob Armitage 指出：“10μm 以下红色 micro-LED 的电流效率是实现经济高效的 micro-LED 显示器的障碍。” “我们在红色 InGaN 方面的工作验证了我们满足采用成本和效率门槛的路线图。”

除了展示高效红光 InGaN 之外，Lumileds 还通过单个 InGaN 外延堆叠实现了红光、绿光和蓝光发射。随后，该公司将其转化为 micro-LED，据称具有出色的色彩质量和电气特性。 Lumileds 表示，将三基色集成到单个 Micro-LED 中对于实现低成本高产量 Micro-LED 显示器组装具有巨大影响，并将最终实现用于增强现实 (AR) 应用的紧凑型全彩显示器。